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- 题名/责任者:
- 用于集成电路仿真和设计的FinFET建模:基于BSIM-CMG标准/(印)尤盖希·辛格·楚罕(Yogesh Singh Chauhan)[等]著 陈铖颖, 张宏怡, 荆有波译
- 出版发行项:
- 北京:机械工业出版社,2020
- ISBN及定价:
- 978-7-111-65981-5/CNY99.00
- 载体形态项:
- 239页;24cm
- 并列正题名:
- FinFET mdeling for IC simulation and design:using the BSIM-CMG standard
- 丛编项:
- 微电子与集成电路先进技术丛书
- 个人责任者:
- (印) 楚罕 (Chauhan, Yogesh Singh) 著
- 个人次要责任者:
- 陈铖颖 译
- 个人次要责任者:
- 张宏怡 译
- 个人次要责任者:
- 荆有波 译
- 学科主题:
- 集成电路-电路设计-系统建模
- 中图法分类号:
- TN402
- 中图法分类号:
- TN4
- 题名责任附注:
- 著者还有:(美)达森·杜安·卢(Darsen Duane Lu)、(印)史利南库马尔·维努戈帕兰(Sriramkumar Venugopalan)、(印)苏拉布·坎德瓦尔(Sourabh Khandelwal)、(美)胡安·帕布鲁·杜阿尔特(Juan Pablo Duarte)、(加)纳韦德·帕瓦多斯(Navid Paydavosi)等7人
- 版本附注:
- Elsevier Inc.授权出版
- 出版发行附注:
- 限中国大陆发行
- 相关题名附注:
- 版权页英文题名:FinFET mdeling for IC simulation and design: using the BSIM-CMG standard
- 提要文摘附注:
- 本书从三维结构的原理、物理效应入手,讨论了FinFET紧凑模型产生的背景、原理、参数以及实现方法;同时讨论了在模拟和射频集成电路设计中所采用的仿真模型。