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• 010 __ |a 978-7-111-65981-5 |d CNY99.00

• 100 __ |a 20200925d2020 em y0chiy50 ea

• 101 1_ |a chi |c eng

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• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 用于集成电路仿真和设计的FinFET建模 |A yong yu ji cheng dian lu fang zhen he she ji de FinFET jian mo |e 基于BSIM-CMG标准 |f (印)尤盖希·辛格·楚罕(Yogesh Singh Chauhan)[等]著 |g 陈铖颖, 张宏怡, 荆有波译

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2020

• 215 __ |a 239页 |d 24cm

• 225 2_ |a 微电子与集成电路先进技术丛书

• 304 __ |a 著者还有:(美)达森·杜安·卢(Darsen Duane Lu)、(印)史利南库马尔·维努戈帕兰(Sriramkumar Venugopalan)、(印)苏拉布·坎德瓦尔(Sourabh Khandelwal)、(美)胡安·帕布鲁·杜阿尔特(Juan Pablo Duarte)、(加)纳韦德·帕瓦多斯(Navid Paydavosi)等7人

• 305 __ |a Elsevier Inc.授权出版

• 306 __ |a 限中国大陆发行

• 312 __ |a 版权页英文题名:FinFET mdeling for IC simulation and design: using the BSIM-CMG standard

• 330 __ |a 本书从三维结构的原理、物理效应入手,讨论了FinFET紧凑模型产生的背景、原理、参数以及实现方法;同时讨论了在模拟和射频集成电路设计中所采用的仿真模型。

• 461 _0 |1 2001 |a 微电子与集成电路先进技术丛书

• 510 1_ |a FinFET mdeling for IC simulation and design |e using the BSIM-CMG standard |z eng

• 606 0_ |a 集成电路 |x 电路设计 |x 系统建模

• 690 __ |a TN402 |v 5

• 690 __ |a TN4 |v 4

• 701 _1 |c (印) |a 楚罕 |A chu han |g (Chauhan, Yogesh Singh) |4 著

• 702 _0 |a 陈铖颖 |A chen cheng ying |4 译

• 702 _0 |a 张宏怡 |A zhang hong yi |4 译

• 702 _0 |a 荆有波 |A jing you bo |4 译

• 801 _0 |a CN |b 91MARC |c 20201205

• 905 __ |a JBXQLIB |d TN4/73