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MARC状态:审校 文献类型:中文图书 浏览次数:7

题名/责任者:
微电子器件/陈星弼 ... [等] 编著
版本说明:
第4版
出版发行项:
北京:电子工业出版社,2018
ISBN及定价:
978-7-121-34267-7/CNY59.90
载体形态项:
xiv, 333页:图;26cm
丛编项:
微电子与集成电路设计系列规划教材
个人责任者:
陈星弼 编著
个人责任者:
陈勇 编著
个人责任者:
刘继芝 编著
学科主题:
微电子技术-电子器件-高等学校-教材
中图法分类号:
TN4
一般附注:
“十二五”普通高等教育本科国家级规划教材 普通高等教育“十一五”国家级规划教材
题名责任附注:
题名页题其余责任者:陈勇, 刘继芝, 任敏
书目附注:
有书目
提要文摘附注:
本书首先介绍半导体器件基本方程。在此基础上,全面系统地介绍PN结二极管、双极结型晶体管 (BJT) 和绝缘栅场效应晶体管 (MOSFET) 的基本结构、基本原理、工作特性和SPICE模型。本书还介绍了主要包括HEMT和HBT的异质结器件。书中提供大量习题,便于读者巩固及加深对所学知识的理解。
使用对象附注:
高等学校电子科学与技术、集成电路设计与集成系统、微电子学等专业。
全部MARC细节信息>>
索书号 条码号 年卷期 校区—馆藏地 书刊状态 还书位置
TN4/84 5200073827   总馆—产企信息服务中心     可借 产企信息服务中心
TN4/84 5200073828   总馆—产企信息服务中心     可借 产企信息服务中心
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