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题名/责任者:

用于集成电路仿真和设计的FinFET建模:基于BSIM-CMG标准/(印)尤盖希·辛格·楚罕(Yogesh Singh Chauhan)[等]著 陈铖颖, 张宏怡, 荆有波译

出版发行项:

北京:机械工业出版社,2020

ISBN及定价:

978-7-111-65981-5/CNY99.00

载体形态项:

239页;24cm

并列正题名:

FinFET mdeling for IC simulation and design:using the BSIM-CMG standard

丛编项:

微电子与集成电路先进技术丛书

个人责任者:

(印) 楚罕 (Chauhan, Yogesh Singh) 著

个人次要责任者:

陈铖颖 译

个人次要责任者:

张宏怡 译

个人次要责任者:

荆有波 译

学科主题:

集成电路-电路设计-系统建模

中图法分类号:

TN402

中图法分类号:

TN4

题名责任附注:

著者还有:(美)达森·杜安·卢(Darsen Duane Lu)、(印)史利南库马尔·维努戈帕兰(Sriramkumar Venugopalan)、(印)苏拉布·坎德瓦尔(Sourabh Khandelwal)、(美)胡安·帕布鲁·杜阿尔特(Juan Pablo Duarte)、(加)纳韦德·帕瓦多斯(Navid Paydavosi)等7人

版本附注:

Elsevier Inc.授权出版

出版发行附注:

限中国大陆发行

相关题名附注:

版权页英文题名:FinFET mdeling for IC simulation and design: using the BSIM-CMG standard

提要文摘附注:

本书从三维结构的原理、物理效应入手,讨论了FinFET紧凑模型产生的背景、原理、参数以及实现方法;同时讨论了在模拟和射频集成电路设计中所采用的仿真模型。

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