| 暂存书架(0) | 登录

MARC状态:审校 文献类型:中文图书 浏览次数:5

题名/责任者:
集成电路器件抗辐射加固设计技术/闫爱斌 ... [等] 著
出版发行项:
北京:科学出版社,2023.3
ISBN及定价:
978-7-03-074714-3/CNY129.00
载体形态项:
214页:图;24cm
个人责任者:
闫爱斌
个人责任者:
倪天明
个人责任者:
黄正峰
学科主题:
集成电路-电子器件-抗辐射性-机械加固-设计
中图法分类号:
TN4
题名责任附注:
题名页题其余著者:倪天明、黄正峰、崔杰
书目附注:
有书目 (第207-214页)
提要文摘附注:
本书共分为6章,分别为绪论、常用的抗辐射加固设计技术及组件、表决器的抗辐射加固设计技术、锁存器的抗辐射加固设计技术、主从触发器的抗辐射加固设计技术以及SRAM单元的抗辐射加固设计技术。
使用对象附注:
普通高等院校集成电路科学与工程、电子信息工程、微电子科学与工程、计算机科学与技术等专业的本科生和研究生
全部MARC细节信息>>
索书号 条码号 年卷期 校区—馆藏地 书刊状态 还书位置
TN4/91 5200073922   总馆—产企信息服务中心     可借 产企信息服务中心
显示全部馆藏信息
借阅趋势

同名作者的其他著作(点击查看)
用户名:
密码:
验证码:
请输入下面显示的内容
  证件号 条码号 Email
 
姓名:
手机号:
送 书 地:
收藏到: 管理书架