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题名/责任者:

垂直型GaN和SiC功率器件/(日)望月和浩著 黄锋[等]译

出版发行项:

北京:机械工业出版社,2022

ISBN及定价:

978-7-111-70502-4/CNY99.00

载体形态项:

12,217页:图;24cm

并列正题名:

Vertical GaN and SiC power devices

丛编项:

半导体与集成电路关键技术丛书

个人责任者:

(日) 望月和浩 著

个人次要责任者:

黄锋 译

学科主题:

功率半导体器件

中图法分类号:

TN303

中图法分类号:

TN3

一般附注:

机工电子

题名责任附注:

译者还有：段宝兴、柏松、万成安、赵小宁、刘凌旗等28人

版本附注:

Artech House授权出版

提要文摘附注:

本书介绍垂直型GaN和SiC功率器件的材料、工艺、特性和可靠性等相关技术。内容涵盖垂直型和横向功率半导体器件的比较，GaN和SiC的物理性质、外延生长、制备工艺、主要器件结构与特性，以及垂直型GaN和SiC功率器件的可靠性研究等。

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