机读格式显示(MARC)

• 000 01469nam0 2200313 450

• 001 0000427599

• 005 20240418090700.0

• 010 __ |a 978-7-5606-6288-6 |b 精装 |d CNY128.00

• 100 __ |a 20221027d2022 em y0chiy50 ea

• 101 0_ |a chi

• 102 __ |a CN |b 610000

• 105 __ |a a z 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 氮化物半导体准范德华外延及应用 |A dan hua wu ban dao ti zhun fan de hua wai yan ji ying yong |d Quasi van der waals epitaxy of nitride semiconductor and its applications |f 魏同波，刘志强，李晋闽著 |z eng

• 210 __ |a 西安 |c 西安电子科技大学出版社 |d 2022

• 215 __ |a 228页 |c 图 |d 23cm

• 225 1_ |a 宽禁带半导体前沿丛书

• 300 __ |a 国家出版基金项目

• 330 __ |a 本书以作者及研究团队近年来的研究成果为基础，以第三代半导体与二维材料相结合的产业化应用为目标，详细介绍了二维材料上准范德华外延氮化物的理论计算、材料生长、器件制备和应用，内容集学术性与实用性为一体。全书共8章，内容包括二维材料及准范德华外延原理、界面理论计算、二维材料辅助氮化物准范德华外延材料生长、大失配衬底准范德华外延，二维材料在柔性转移和散热等方面的应用，以及二维氮化物等当前研究前沿。

• 461 _0 |1 2001 |a 宽禁带半导体前沿丛书

• 510 1_ |a Quasi van der waals epitaxy of nitride semiconductor and its applications |z eng

• 606 0_ |a 氮化物 |x 半导体材料 |x 研究

• 690 __ |a TN304 |v 5

• 690 __ |a TN3 |v 4

• 701 _0 |a 魏同波 |A wei tong bo |4 著

• 701 _0 |a 刘志强 |A liu zhi qiang |4 著

• 701 _0 |a 李晋闽 |A li jin min |4 著

• 801 _0 |a CN |b 91MARC |c 20221031

• 905 __ |a JBXQLIB |d TN3/58