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• 010 __ |a 978-7-111-68175-5 |d CNY99.00

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• 200 1_ |a 碳化硅功率器件 |A tan hua gui gong lu qi jian |e 特性、测试和应用技术 |f 高远,陈桥梁编著 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2021

• 215 __ |a 14,311页 |c 图 |d 24cm

• 300 __ |a 电力电子新技术系列图书

• 312 __ |a 封面英文题名:Silicon carbide power semiconductor devices: characteristics, testing and applications

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书介绍了碳化硅功率器件的基本原理、特性、测试方法及应用技术,概括了近年学术界和工业界的*新研究成果。本书共分为9章:功率半导体器件基础,SiCMOSFET参数的解读、测试及应用,双脉冲测试技术,SiC器件与Si器件特性对比,高di/dt的影响与应对——关断电压过冲,高dv/dt的影响与应对——crosstalk,高dv/dt的影响与应对——共模电流,共源极电感的影响与应对,以及驱动电路设计。

• 510 1_ |a Silicon carbide power semiconductor devices |e characteristics, testing and applications |z eng

• 517 1_ |a 特性、测试和应用技术 |A te xing、ce shi he ying yong ji shu

• 606 0_ |a 功率半导体器件

• 690 __ |a TN303 |v 5

• 690 __ |a TN3 |v 4

• 701 _0 |a 高远 |A gao yuan |4 编著

• 701 _0 |a 陈桥梁 |A chen qiao liang |4 编著

• 801 _0 |a CN |b 91MARC |c 20210918

• 905 __ |a JBXQLIB |d TN3/40