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• 010 __ |a 978-7-5088-5710-7 |b 精装 |d CNY99.00

• 100 __ |a 20200426d2020 em y0chiy50 ea

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• 102 __ |a CN |b 110000

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• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 嵌入式存储器架构、电路与应用 |9 qian ru shi cun chu qi jia gou、dian lu yu ying yong |b 专著 |f 曾晓洋，薛晓勇，温亮著

• 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |c 龙门书局 |d 2020

• 215 __ |a 171页 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 集成电路设计丛书

• 300 __ |a 国家出版基金项目 “十三五”国家重点出版物出版规划项目

• 330 __ |a 本书介绍当前主流的嵌入式存储器和近年兴起的新型嵌入式存储器，前者包括SRAM、eDRAM和eFlash，后者包括ReRAM、PRAM、MRAM和FeRAM等。

• 461 _0 |1 2001 |a 集成电路设计丛书

• 606 0_ |a 高速缓冲存贮器 |x 架构

• 606 0_ |a 高速缓冲存贮器 |x 电路设计

• 690 __ |a TP333.1 |v 5

• 690 __ |a TP33 |v 4

• 701 _0 |a 曾晓洋 |9 zeng xiao yang |f (1972.4-) |4 著

• 701 _0 |a 薛晓勇 |9 xue xiao yong |4 著

• 701 _0 |a 温亮 |9 wen liang |4 著

• 801 _2 |a CN |b A441900DGL |c 20200615

• 905 __ |a JBXQLIB |d TP33/166