机读格式显示(MARC)
- 000 01085nam0 2200313 450
- 010 __ |a 978-7-03-075191-1 |d CNY59.00
- 035 __ |a (A100000NLC)012311913
- 049 __ |a A100000NLC |b UCS01011864124 |c 012311913 |d NLC01
- 100 __ |a 20230516d2023 em y0chiy50 ea
- 200 1_ |a 半导体材料 |9 ban dao ti cai liao |b 专著 |f 张源涛,杨树人,徐颖编著
- 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2023
- 215 __ |a 257页 |c 图 |d 26cm
- 300 __ |a 普通高等教育电子科学与技术特色专业系列教材
- 330 __ |a 本书介绍了主要半导体材料硅、砷化镓等制备的基本原理和工艺,以及特性的控制等。共13章,包括:硅和锗的化学制备;区熔提纯;晶体生长;硅、锗晶体中的杂质和缺陷;硅外延生长等。
- 606 0_ |a 半导体材料 |x 高等学校 |j 教材
- 701 _0 |a 张源涛 |9 zhang yuan tao |f (1976-) |4 编著
- 701 _0 |a 杨树人 |9 yang shu ren |c (半导体) |4 编著
- 701 _0 |a 徐颖 |9 xu ying |4 编著
- 801 _2 |a CN |b OLCC |c 20230705
- 905 __ |a JBXQLIB |d TN3/84