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• 010 __ |a 978-7-111-70502-4 |d CNY99.00

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• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 垂直型GaN和SiC功率器件 |A chui zhi xing GaN he SiC gong lv qi jian |d Vertical GaN and SiC power devices |f (日)望月和浩著 |g 黄锋[等]译 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2022

• 215 __ |a 12,217页 |c 图 |d 24cm

• 225 1_ |a 半导体与集成电路关键技术丛书

• 300 __ |a 机工电子

• 304 __ |a 译者还有：段宝兴、柏松、万成安、赵小宁、刘凌旗等28人

• 305 __ |a Artech House授权出版

• 330 __ |a 本书介绍垂直型GaN和SiC功率器件的材料、工艺、特性和可靠性等相关技术。内容涵盖垂直型和横向功率半导体器件的比较，GaN和SiC的物理性质、外延生长、制备工艺、主要器件结构与特性，以及垂直型GaN和SiC功率器件的可靠性研究等。

• 461 _0 |1 2001 |a 半导体与集成电路关键技术丛书

• 510 1_ |a Vertical GaN and SiC power devices |z eng

• 606 0_ |a 功率半导体器件

• 690 __ |a TN303 |v 5

• 690 __ |a TN3 |v 4

• 701 _0 |c (日) |a 望月和浩 |A wang yue he hao |4 著

• 702 _0 |a 黄锋 |A huang feng |4 译

• 801 _0 |a CN |b 91MARC |c 20220805

• 905 __ |a JBXQLIB |d TN3/45