机读格式显示(MARC)
- 000 01237oam2 2200313 450
- 010 __ |a 978-7-302-53134-0 |d CNY118.00
- 100 __ |a 20200713d2020 em y0chiy50 ea
- 200 1_ |a 三维存储芯片技术 |A san wei cun chu xin pian ji shu |d 3D flash memories |f (圣马)里诺·米歇洛尼(Rino Micheloni)著 |g 吴华强,高滨,钱鹤译 |z eng
- 210 __ |a 北京 |c 清华大学出版社 |d 2020
- 215 __ |a XV,277页 |c 图 |d 26cm
- 330 __ |a 存储器芯片是集成电路芯片里面最为重要的专用芯片。三维存储器芯片是当前技术发展的最前沿。本书是国际上第一本系统介绍三维存储器的专业书籍,包括了3D NAND,新型3D NAND架构,三维RRAM,算法,ECC和系统架构等。本书覆盖面广,内容新,对于研究存储器的研究人员和学生是一本必不可少的好书。
- 461 _0 |1 2001 |a 新视野电子电气科技丛书
- 510 1_ |a 3D flash memories |z eng
- 701 _1 |c (圣马) |a 米歇洛尼 |A mi xie luo ni |g Micheloni, Rino |4 著
- 702 _0 |a 吴华强 |A wu hua qiang |4 译
- 702 _0 |a 高滨 |A gao bin |4 译
- 702 _0 |a 钱鹤 |A qian he |4 译
- 801 _0 |a CN |b 91MARC |c 20200713
- 905 __ |a JBXQLIB |d TN43/50