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• 010 __ |a 978-7-111-74202-9 |d CNY89.00

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• 049 __ |a A100000NLC |b UCS01012470235 |c 012772325 |d NLC01

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• 200 1_ |a 半导体干法刻蚀技术 |9 ban dao ti gan fa ke shi ji shu |b 专著 |f (日)野尻一男著 |g 王文武[等]译

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2024

• 215 __ |a 10,161页 |c 图 |d 24cm

• 225 1_ |a 集成电路科学与工程丛书

• 300 __ |a CMP BOOKS

• 305 __ |a 由Gijutsu-Hyoron Co., Ltd. 授权出版 据原书第2版译出

• 330 __ |a 本书不仅介绍了半导体器件中所涉及材料的刻蚀工艺，而且对每种材料的关键刻蚀参数、对应的等离子体源和刻蚀气体化学物质进行了解释。还讨论了具体器件制造流程中涉及的干法刻蚀技术，介绍了半导体厂商实际使用的刻蚀设备的类型和等离子体产生机理，例如电容耦合型等离子体、磁控反应离子刻蚀、电子回旋共振等离子体和电感耦合型等离子体，并介绍了原子层沉积等新型刻蚀技术。

• 606 0_ |a 半导体技术 |x 干法刻蚀

• 690 __ |a TN305.7 |v 5

• 690 __ |a TN3 |v 4

• 701 _0 |c (日) |a 野尻一男 |9 ye kao yi nan |4 著

• 702 _0 |a 王文武 |9 wang wen wu |4 译

• 801 _2 |a CN |b OLCC |c 20240408

• 905 __ |a JBXQLIB |d TN3/65