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• 001 0000421927

• 005 20240411180600.0

• 010 __ |a 978-7-111-72873-3 |d CNY189.00

• 100 __ |a 20230718d2023 em y0chiy50 ea

• 101 1_ |a chi |c eng

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a afk a 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 氮化物半导体技术 |A dan hua wu ban dao ti ji shu |e 功率电子和光电子器件 |f (意) 法布里齐奥·罗卡福特, (波) 迈克·莱辛斯基主编 |g 李晨 ... [等] 译

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2023.7

• 215 __ |a ⅩⅣ, 400页, [24] 页图版 |c 图 (部分彩图) |d 24cm

• 225 2_ |a 半导体与集成电路关键技术丛书 |A ban dao ti yu ji cheng dian lu guan jian ji shu cong shu

• 304 __ |a 题名页题其余译者：吴洪江、石伟、万成安、汪志强等

• 306 __ |a 由Wiley授权

• 312 __ |a 英文原题名取自于封面

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书概述了氮化物半导体及其在功率电子和光电子器件中的应用，解释了这些材料的物理特性及其生长方法，详细讨论了它们在高电子迁移率晶体管、垂直型功率器件、发光二极管、激光二极管和垂直腔面发射激光器中的应用。本书进一步研究了这些材料的可靠性问题，并提出了将它们与2D材料结合用于新型高频和高功率器件的前景。

• 333 __ |a 可作为功率电子和光电子器件领域研究人员和工程人员的参考用书。

• 410 _0 |1 2001 |a 半导体与集成电路关键技术丛书

• 500 10 |a Nitride semiconductor technology-power electronics and optoelectronic devices |m Chinese

• 517 1_ |a 功率电子和光电子器件 |A gong lu^ dian zi he guang dian zi qi jian

• 606 0_ |a 氮化物 |A dan hua wu |x 半导体材料 |x 研究

• 690 __ |a TN304 |v 5

• 690 __ |a TN3 |v 4

• 701 _1 |a 罗卡福特 |A luo ka fu te |g (Roccaforte, Fabrizio) |4 主编

• 701 _1 |a 莱辛斯基 |A lai xin si ji |g (Leszczynski, Mike) |4 主编

• 702 _0 |a 李晨 |A li chen |4 译

• 702 _0 |a 吴洪江 |A wu hong jiang |4 译

• 702 _0 |a 石伟 |A shi wei |4 译

• 801 _0 |a CN |b 江苏新华 |c 20230707

• 905 __ |a JBXQLIB |d TN3/30