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• 000 01697nam2 2200337 450

• 001 0000262993

• 005 20210926124100.0

• 010 __ |a 978-7-118-11929-9 |b 精装 |d CNY98.00

• 100 __ |a 20200928d2020 em y0chiy50 ea

• 101 0_ |a chi

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a ak az 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 半导体材料及器件的辐射效应 |A ban dao ti cai liao ji qi jian de fu she xiao ying |f 刘忠立,高见头编著

• 210 __ |a 北京 |c 国防工业出版社 |d 2020

• 215 __ |a XII,383页 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 中国科学院大学研究生教材 |A Zhong Guo Ke Xue Yuan Da Xue Yan Jiu Sheng Jiao Cai

• 312 __ |a 封面有并列英文题名:Radiation effects in semiconductor materials and devices

• 314 __ |a 刘忠立,长期从事辐射加固集成电路、微传感器及半导体功率器件研究。现任中国科学院微电子研究所特聘研究员,传感技术国家重点实验室学术委员会委员、北京市传感技术实验室学术委员会委员、中国电子学会核辐射电磁脉冲专委会委员。

• 320 __ |a 有书目(第381-383页)

• 330 __ |a 本书共11章,主要内容包括辐射环境、辐射效应相关的半导体基础知识、辐射效应的一般概念、半导体材料的辐射效应、Si器件的辐射效应、GaAs半导体器件的辐射效应、光电子器件的辐射效应、Si集成电路的辐射效应及加固技术、纳米级CMOS集成电路的辐射效应及加固技术、半导器件辐射效应的一些新研究动向、辐射效应模拟试验及测试技术。

• 461 _0 |1 2001 |a 中国科学院大学研究生教材

• 510 1_ |a Radiation effects in semiconductor materials and devices |z eng

• 606 0_ |a 半导体材料 |A Ban Dao Ti Cai Liao |x 辐射效应 |x 研究

• 606 0_ |a 半导体器件 |A Ban Dao Ti Qi Jian |x 辐射效应 |x 研究

• 690 __ |a TN30 |v 5

• 690 __ |a TN3 |v 4

• 701 _0 |a 刘忠立 |A liu zhong li |4 编著

• 701 _0 |a 高见头 |A gao jian tou |4 编著

• 801 _0 |a CN |b JBXQLIB |c 20210926

• 905 __ |a JBXQLIB |d TN3/5