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• 010 __ |a 978-7-122-43276-6 |b 精装 |d CNY198.00

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• 200 1_ |a 半导体先进光刻理论与技术 |A ban dao ti xian jin guang ke li lun yu ji shu |d Optical and EUV lithography: a modeling perspective |f (德)安德里亚斯·爱德曼(Andreas Erdmann)著 |g 李思坤译 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 化学工业出版社 |d 2023

• 215 __ |a 304页 |c 图，照片 |d 24cm

• 305 __ |a SPIE授权出版

• 330 __ |a 本书介绍了当前主流的光学光刻、先进的极紫外光刻以及下一代光刻技术。主要内容涵盖了光刻理论、工艺、材料、设备、关键部件、分辨率增强、建模与仿真、典型物理与化学效应等，包括光刻技术的前沿进展，还总结了极紫外光刻的特点、存在问题与发展方向。

• 510 1_ |a Optical and EUV lithography: a modeling perspective |z eng

• 606 0_ |a 半导体光电器件 |x 光刻设备 |x 研究

• 690 __ |a TN305.7 |v 5

• 690 __ |a TN3 |v 4

• 701 _0 |c (德) |a 爱德曼 |A ai de man |c (Erdmann, Andreas) |4 著

• 702 _0 |a 李思坤 |A li si kun |4 译

• 801 _0 |a CN |b 91MARC |c 20230824

• 905 __ |a JBXQLIB |d TN3/55