机读格式显示(MARC)

• 000 01622nam0 2200313 450

• 001 0000427607

• 005 20240418090900.0

• 010 __ |a 978-7-5606-6429-3 |b 精装 |d CNY128.00

• 100 __ |a 20221027d2022 em y0chiy50 ea

• 101 0_ |a chi

• 102 __ |a CN |b 610000

• 105 __ |a a z 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 宽禁带半导体微结构与光电器件光学表征 |A kuan jin dai ban dao ti wei jie gou yu guang dian qi jian guang xue biao zheng |d Optical characterization of microstructures and optoelectronic devices based on wide bandgap semiconductors |f 徐士杰等编著 |z eng

• 210 __ |a 西安 |c 西安电子科技大学出版社 |d 2022

• 215 __ |a 375页 |c 图 |d 24cm

• 225 1_ |a 宽禁带半导体前沿丛书

• 300 __ |a 国家出版基金项目

• 330 __ |a 本书以宽禁带半导体微结构与光电器件光学表征为主线，按照“面向宽禁带半导体前沿课题，注重先进光电器件与材料微结构的基础性质和过程进行光学表征，以提升宽禁带半导体光电子器件性能为目的”的原则安排全书内容，从应用基础研究和研发先进光电子器件的角度出发，组织全国在该领域前沿进行一线科研工作的学者进行编写，力争用通俗易懂的语言，由浅入深，系统、详细地介绍宽禁带半导体光电器件微纳结构生长、掺杂、受激辐射、量子效率测量、紫外探测、微尺寸LED、高效太阳能电池等工作原理、光学表征、性能提升等前沿研究。

• 461 _0 |1 2001 |a 宽禁带半导体前沿丛书

• 510 1_ |a Optical characterization of microstructures and optoelectronic devices based on wide bandgap semiconductors |z eng

• 606 0_ |a 禁带 |x 半导体 |x 结构

• 606 0_ |a 禁带 |x 半导体光电器件

• 690 __ |a TN303 |v 5

• 690 __ |a TN36 |v 5

• 690 __ |a TN3 |v 4

• 701 _0 |a 徐士杰 |A xu shi jie |4 编著

• 801 _0 |a CN |b 91MARC |c 20221031

• 905 __ |a JBXQLIB |d TN3/62