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• 010 __ |a 978-7-03-068516-2 |d CNY145.00

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• 200 1_ |a 硅锗低维材料可控生长 |A gui zhe di wei cai liao ke kong sheng zhang |f 马英杰[等]著

• 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2021

• 215 __ |a 255页 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 先进功能材料丛书

• 304 __ |a 著者还有：蒋最敏、周通、钟振扬

• 330 __ |a 本书将介绍利用分子束外延在硅基低维材料可控生长及其物理特性研究方面的进展，包括图形硅衬底和斜切Si衬底的制备；硅锗低维结构可控生长机理；硅锗量子点、量子点分子、量子环等纳米结构的生长；硅锗量子点晶体的生长及其物理特性；光子晶体微腔中单个锗量子点的可控生长及其发光特性；斜切Si衬底上高密度量子点、量子线的可控生长及其物理特性等方面的内容。

• 461 _0 |1 2001 |a 先进功能材料丛书

• 510 1_ |a Controllable growth of low-dimensional SiGe materials |z eng

• 606 0_ |a 半导体材料 |x 纳米材料 |x 研究

• 690 __ |a TN304 |v 5

• 690 __ |a TB383 |v 5

• 690 __ |a TN3 |v 4

• 701 _0 |a 马英杰 |A ma ying jie |4 著

• 801 _0 |a CN |b 91MARC |c 20210831

• 905 __ |a JBXQLIB |d TN3/48