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• 010 __ |a 978-7-111-69552-3 |d CNY139.00

• 049 __ |a A340000AHL |b UCS01010986330 |c 1900919359

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• 101 1_ |a chi |c eng

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• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 氮化镓功率晶体管 |9 dan hua jia gong lv jing ti guan |b 专著 |e 器件、电路与应用 |f (美)亚历克斯·利多(Alex Lidow)[等]著 |g 段宝兴，杨银堂等译

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2022

• 215 __ |a 14,289页 |c 图，彩照 |d 24cm

• 225 1_ |a 集成电路科学与工程丛书

• 300 __ |a Wiley

• 304 __ |a 著者还有：(美)迈克尔·德·罗伊(Michael de Rooij)、(美)约翰·斯其顿(Johan Strydom)、(美)戴维·罗伊施(David Reusch)、(美)约翰·格拉泽(John Glaser)

• 305 __ |a 由Wiley授权出版 据原书第3版译出

• 312 __ |a 版权页英文题名：GaN transistors for efficient power conversion

• 330 __ |a 本书共17章，第1章概述了氮化镓(GaN)技术；第2章为GaN晶体管的器件物理；第3章介绍了GaN晶体管驱动特性；第4章介绍了GaN晶体管电路的版图设计；第5章讨论了GaN晶体管的建模和测量；第6章介绍了GaN晶体管的散热管理；第7章介绍了硬开关技术；第8章介绍了软开关技术和变换器；第9章介绍了GaN晶体管射频性能；第10章介绍了DC-DC功率变换；第11章讨论了多电平变换器设计；第12章介绍了D类音频放大器；第13章介绍了GaN晶体管在激光雷达方面的应用；第14章介绍了包络跟踪技术；第15章讨论了高谐振无线电源；第16章讨论了GaN晶体管的空间应用；第17章分析了GaN晶体管替代硅功率晶体管的原因。

• 510 1_ |a GaN transistors for efficient power conversion |z eng

• 606 0_ |a 氮化镓 |x 功率晶体管 |x 研究

• 690 __ |a TN323 |v 5

• 690 __ |a TN3 |v 4

• 701 _0 |c (美) |a 利多 |9 li duo |c (Lidow, Alex) |4 著

• 702 _0 |a 段宝兴 |9 duan bao xing |f (1977-) |4 译

• 702 _0 |a 杨银堂 |9 yang yin tang |f (1962-) |4 译

• 801 _2 |a CN |b OLCC |c 20230216

• 801 _0 |a CN |b ahlib |c 20220426

• 905 __ |a JBXQLIB |d TN3/64