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• 200 1_ |a 纳米体硅CMOS工艺逻辑电路单粒子效应研究 |A na mi ti gui CMOS gong yi luo ji dian lu dan li zi xiao ying yan jiu |d Study of single-event effects of logic circuits in nanometer bulk CMOS process |f 陈荣梅著 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 清华大学出版社 |d 2020

• 215 __ |a 23,124页 |c 图 |d 24cm

• 225 1_ |a 清华大学优秀博士学位论文丛书

• 330 __ |a 本书深入研究了纳米体硅CMOS工艺逻辑电路中单粒子效应的产生与传播受电路工作电压、频率和版图结构等电路内在因素，以及温度和总剂量两种空间环境变量的影响规律及其机理。

• 461 _0 |1 2001 |a 清华大学优秀博士学位论文丛书

• 510 1_ |a Study of single-event effects of logic circuits in nanometer bulk CMOS process |z eng

• 606 0_ |a CMOS电路 |x 单粒子态 |x 效应 |x 研究

• 690 __ |a TN432 |v 5

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• 701 _0 |a 陈荣梅 |A chen rong mei |4 著

• 801 _0 |a CN |b 91MARC |c 20210404

• 905 __ |a JBXQLIB |d TN43/68