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题名/责任者:

宽禁带半导体氧化镓:结构、制备与性能/陶绪堂[等]编著

出版发行项:

西安:西安电子科技大学出版社,2022

ISBN及定价:

978-7-5606-6444-6 精装/CNY128.00

载体形态项:

316页:图;24cm

并列正题名:

Wide bandgap gallium oxide semiconductor:structure, growth and physical properties

丛编项:

宽禁带半导体前沿丛书

个人责任者:

陶绪堂 编著

学科主题:

禁带-氧化镓-半导体材料

中图法分类号:

TN304

中图法分类号:

TN3

一般附注:

国家出版基金项目

题名责任附注:

编著还有：穆文祥、贾志泰、叶建东

提要文摘附注:

本书从氧化镓半导体材料的发展历程、材料特性、材料制备原理与技术及电学性质调控等几个方面做了较全面的介绍。重点梳理了作者及国内外同行在单晶制备方法、衬底加工、纳米结构及薄膜外延方面的研究成果。系统阐述了获得高质量体块单晶、纳米结构材料及薄膜的思路和方法，并对氧化镓材料的发展进行了综述和展望。

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