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题名/责任者:

多尺度模拟方法在半导体材料位移损伤研究中的应用/贺朝会 ... [等] 著

出版发行项:

北京:科学出版社,2023.9

ISBN及定价:

978-7-03-076469-0/CNY150.00

载体形态项:

198页:图;24cm

丛编项:

辐射环境模拟与效应丛书

个人责任者:

贺朝会 著

个人责任者:

唐杜 著

个人责任者:

臧航 著

学科主题:

半导体材料-损伤-研究

中图法分类号:

TN304

中图法分类号:

TN3

题名责任附注:

题名页其余编著者：唐杜, 臧航, 邓亦凡等

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书介绍了用于材料位移损伤研究的多尺度模拟方法，包括辐射与材料相互作用模拟方法、分子动力学方法、动力学蒙特卡罗方法、第一性原理方法、器件电学性能模拟方法等，模拟尺寸从原子尺度的10-10m到百纳米，时间从亚皮秒量级到106s，并给出了多尺度模拟方法在硅、砷化镓、碳化硅、氮化镓材料位移损伤研究中的应用，揭示了典型半导体材料的位移损伤机理和规律，在核技术和辐射物理学科的发展、位移损伤效应研究、人才培养等方面具有重要的学术意义和应用价值。

使用对象附注:

大众读者

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