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题名/责任者:

功率半导体器件:原理、特性和可靠性/(德) 约瑟夫·卢茨 ... [等] 著 卞抗 ... [等] 译

出版发行项:

北京:机械工业出版社,2020.01

ISBN及定价:

978-7-111-64029-5/CNY150.00

载体形态项:

ⅩⅧ, 554页:图;24cm

并列正题名:

Semiconductor power devices: physics, characteristics, reliability

其它题名:

原理、特性和可靠性

丛编项:

新型电力电子器件丛书

个人责任者:

卢茨 (Lutz, Josef) 著

个人责任者:

施兰格诺托 (Schlangenotto, Heinrich) 著

个人责任者:

逆伊尔曼 (Scheuermann, Uwe) 著

个人次要责任者:

卞抗 译

个人次要责任者:

杨莺 译

个人次要责任者:

刘静 译

学科主题:

功率半导体器件

中图法分类号:

TN303

中图法分类号:

TN3

题名责任附注:

题名页题其余编著者：海因里希·施兰格诺托, 乌维·逆伊尔曼, 李克·德·当克尔

题名责任附注:

题名页题其余译者：杨莺, 刘静, 蒋荣舟译

版本附注:

据原书第2版译出

出版发行附注:

本书由Springer授权机械工业出版社

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书介绍了功率半导体器件的原理、结构、特性和可靠性技术，器件部分涵盖了当前电力电子技术中使用的各种类型功率半导体器件，包括二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT和功率集成器件等。此外，还包含了制造工艺、测试技术和损坏机理分析。就其内容的全面性和结构的完整性来说，在同类专业书籍中是不多见的。本书内容新颖，紧跟时代发展，除了介绍经典的功率二极管、晶闸管外，还重点介绍了MOSFET、IGBT等现代功率器件，颇为难得的是收入了近年来有关功率半导体器件的最新成果，如SiC、GaN器件，场控宽禁带器件等。本书是一本精心编著、并根据作者多年教学经验和工程实践不断补充更新的好书，相信它的翻译出版必将有助于我国电力电子事业的发展。本书的读者对象包括在校学生、功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人员。本书适合高等院校有关专业用作教材或专业参考书，亦可被电力电子学界和广大的功率器件和装置生产企业的工程技术人员作为参考书之用。

使用对象附注:

本书适合高等院校有关专业用作教材或专业参考书，亦可被电力电子学界和广大的功率器件和装置生产企业的工程技术人员作为参考书之用。

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