MARC状态：审校 文献类型：中文图书 浏览次数：7
- 题名/责任者:
- 宽禁带半导体氧化镓:结构、制备与性能/陶绪堂[等]编著
- 出版发行项:
- 西安:西安电子科技大学出版社,2022
- ISBN及定价:
- 978-7-5606-6444-6 精装/CNY128.00
- 载体形态项:
- 316页:图;24cm
- 并列正题名:
- Wide bandgap gallium oxide semiconductor:structure, growth and physical properties
- 丛编项:
- 宽禁带半导体前沿丛书
- 个人责任者:
- 陶绪堂 编著
- 学科主题:
- 禁带-氧化镓-半导体材料
- 中图法分类号:
- TN304
- 中图法分类号:
- TN3
- 一般附注:
- 国家出版基金项目
- 题名责任附注:
- 编著还有：穆文祥、贾志泰、叶建东
- 提要文摘附注:
- 本书从氧化镓半导体材料的发展历程、材料特性、材料制备原理与技术及电学性质调控等几个方面做了较全面的介绍。重点梳理了作者及国内外同行在单晶制备方法、衬底加工、纳米结构及薄膜外延方面的研究成果。系统阐述了获得高质量体块单晶、纳米结构材料及薄膜的思路和方法，并对氧化镓材料的发展进行了综述和展望。
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| 索书号 | 条码号 | 年卷期 | 校区—馆藏地 | 书刊状态 | 还书位置 |
| TN3/56 | 5200067379 | 总馆—产企信息服务中心 | 可借 | 产企信息服务中心 | |
| TN3/56 | 5200067380 | 总馆—产企信息服务中心 | 可借 | 产企信息服务中心 |
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