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题名/责任者:

宽禁带半导体微结构与光电器件光学表征/徐士杰等编著

出版发行项:

西安:西安电子科技大学出版社,2022

ISBN及定价:

978-7-5606-6429-3 精装/CNY128.00

载体形态项:

375页:图;24cm

并列正题名:

Optical characterization of microstructures and optoelectronic devices based on wide bandgap semiconductors

丛编项:

宽禁带半导体前沿丛书

个人责任者:

徐士杰 编著

学科主题:

禁带-半导体-结构

学科主题:

禁带-半导体光电器件

中图法分类号:

TN303

中图法分类号:

TN36

中图法分类号:

TN3

一般附注:

国家出版基金项目

提要文摘附注:

本书以宽禁带半导体微结构与光电器件光学表征为主线，按照“面向宽禁带半导体前沿课题，注重先进光电器件与材料微结构的基础性质和过程进行光学表征，以提升宽禁带半导体光电子器件性能为目的”的原则安排全书内容，从应用基础研究和研发先进光电子器件的角度出发，组织全国在该领域前沿进行一线科研工作的学者进行编写，力争用通俗易懂的语言，由浅入深，系统、详细地介绍宽禁带半导体光电器件微纳结构生长、掺杂、受激辐射、量子效率测量、紫外探测、微尺寸LED、高效太阳能电池等工作原理、光学表征、性能提升等前沿研究。

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