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题名/责任者:

碳化硅功率器件:特性、测试和应用技术/高远,陈桥梁编著

出版发行项:

北京:机械工业出版社,2021

ISBN及定价:

978-7-111-68175-5/CNY99.00

载体形态项:

14,311页:图;24cm

并列正题名:

Silicon carbide power semiconductor devices:characteristics, testing and applications

其它题名:

特性、测试和应用技术

个人责任者:

高远 编著

个人责任者:

陈桥梁 编著

学科主题:

功率半导体器件

中图法分类号:

TN303

中图法分类号:

TN3

一般附注:

电力电子新技术系列图书

相关题名附注:

封面英文题名:Silicon carbide power semiconductor devices: characteristics, testing and applications

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书介绍了碳化硅功率器件的基本原理、特性、测试方法及应用技术,概括了近年学术界和工业界的*新研究成果。本书共分为9章:功率半导体器件基础,SiCMOSFET参数的解读、测试及应用,双脉冲测试技术,SiC器件与Si器件特性对比,高di/dt的影响与应对——关断电压过冲,高dv/dt的影响与应对——crosstalk,高dv/dt的影响与应对——共模电流,共源极电感的影响与应对,以及驱动电路设计。

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